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    旺季来临,市场芯片较为缺货,预估第四季内存

    更新时间:2017-10-13 点击?#38382;?/small>字号:T|T

    集邦咨询半导体?#33455;?#20013;心(DRAMeXchange)指出,受智能手机市场传统旺季带动需求提升,以及主流供货商有意提高行动式内存(Mobile DRAM)价格,缩小各类应用产品价差的影响,第四季行动式内存涨幅平均落在10%~15%,居整体DRAM产业涨幅之冠,终结自2017年初以来行动式内存单位平均价格低于标准型内存(PC DRAM)单位平均价格的状况。

    DRAMeXchange?#33455;?#25351;出,以?#20013;?#20027;流供货商的产能计划来看,2018年将不会有大幅扩厂计划带来的产能贡献,主要是针对既有厂房进行产能优化并透过制程转进提高产出。

     

    在产能增加有限的情况下,预估2018年DRAM各项应用类别产能仍全面趋紧,再加上北美数据中心需求不坠(Google、Facebook、Amazon、Microsoft等)以及Intel服务器Purley平台推出等,都使服务器市场需求依旧强劲,恐增添2018年行动式内存在价格和供货上的变量。

    展望2018年第一季价格走势,进入传统淡季,预估供料紧张的状况会较今年第四季舒缓,但在价格表现上,受到DRAM整体市场需求不弱的影响,预估2018年第一季合约价格下跌机?#20160;?#39640;。

    中低端智能手机硬件升级,成带动内存搭载容量成长主引擎

    观察行动式内存市场,受内存价格?#20013;?#19978;涨的影响,今年下半年Android阵营推出的旗舰新机的主流容量多与上半年?#21046;劍?#20197;LPDDR4X 6GB、4GB为主,而iPhone阵营则是以3GB为主,两大阵营今年在行动式内存容量提升上皆无太多着墨。

    DRAMeXchange分析,在内存价格居高不下的情况下,将压?#25351;?#26234;能手机品牌厂提升中高端手机内存容量的意愿,2018年内存搭载容量主要成长动能,将来自于中低端智能手机在面板、相机?#20302;返?#30828;件规格提升,带动的行动式内存容量提升需求。

    就行动式内存产品?#26469;?#36716;进而言,受智能手机市场需求及主流供货商的生产计划带动,LPDDR4系列将正式取代LPDDR3成为2018年的行动内存主流,以旗舰机及中高端手机应用为主;LPDD3将逐渐势微,主要应用在中低阶及入门款智能手机的eMCP;共享行动式内存的平板电脑在Intel陆续推出新的应用平台后,也由LPDDR3分离式行动内存(discrete type)逐步转往LPDDR4分离式行动内存,以利整体效能的提升。

    (编辑:15920099428)
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